サムスンの次期フラッグシップ・スマートフォン最上位機種「Galaxy S26 Ultra」は、クアルコムの最新チップ「Snapdragon 8 Elite 2 for Galaxy」を搭載し、大幅な性能向上が見込まれています。さらに搭載RAM（メモリ）も刷新され、さらなる進化が期待されています。
信頼性の高いリーカーであるIce Universe氏によると、メモリはMicron製の新世代LPDDR5Xに切り替わり、データ転送速度が従来の9.6Gbpsから10.7Gbpsへ向上するとのことです。
RAM速度の向上によるメリットは、スマホの動作がよりスムーズになることです。複数アプリの同時起動や切り替え時のレスポンスが改善し、アプリの起動・復帰も高速化され、待ち時間が短縮されます。また、高負荷の作業やゲームでもRAMがスムーズにデータを読み書きするため、動作の安定性が増し、カクつきや強制終了の発生減に繋がると考えられます。
さらにサムスンはAI機能の強化にも力を入れており、RAMの高速化によってAI処理や機械学習の実行速度も向上するでしょう。その結果、オンデバイスAI（クラウドに依存しないAI処理）が改善され、リアルタイム翻訳、画像・動画の生成AI編集、音声アシスタントの高度な処理がよりスムーズになると期待できます。
ただし、RAM速度の向上は消費電力や発熱の増加を招く可能性もあります。Galaxy S26 Ultraはバッテリー容量の増加が噂されていますが、冷却機構もあわせて強化されるかもしれません。
Source: Ice Universe（X）
via: Wccftech
